電路如圖所示,設(shè)R1=R2=100kΩ,VDD=5V,Rd=7.5kΩ,VT=-1V,KP=0.2mA/V2。試計(jì)算如圖所示P溝道增強(qiáng)型MOSFET共源極電路的漏極電流ID和漏源電壓VDS。
電路如圖所示。 (1)當(dāng)輸入方波電流的頻率為200Hz時(shí),計(jì)算輸出電壓的平頂降落; (2)當(dāng)平頂降落小于2%時(shí),輸入方波的最低頻率為多少?
電路如圖所示(射極偏置電路),設(shè)信號(hào)源內(nèi)阻Rs=5kΩ,電路參數(shù)為:Rb1=33kΩ,Rb2=22kΩ,Re=3.9kΩ,RC=4.7Ω,RL=5.1kΩ,在Re兩端并接一電容Ce=50μF,VCC=5V,IEQ≈0.33mA,βo=120,rce=300kΩ,rbb’=50Ω,fT=700MHz及Cb’e=1pF。求: (1)輸入電阻Ri; (2)中頻區(qū)電壓增益; (3)上限頻率fH。