敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

描述RF濺射系統(tǒng)。

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。

例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡要解釋。

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。

解釋什么是暗場掩模板？

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個(gè)步驟。

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。