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問答題假定NiCr2O4的表面能為600erg/cm²，由半徑0.5μm的NiO和Cr₂O₃粉末合成尖晶石。在1200℃和1400℃時(shí)Ni²⁺和Cr³⁺離子的擴(kuò)散系數(shù)分別為：Ni²⁺在NiO中D₁₄₇₃＝1×10^-11；D₁₆₇₃＝3×10^-10cm²/s；Cr³⁺在Cr₂O₃中D₁₄₇₃＝7×10^-11cm²/s，D₁₆₇₃＝10^-9cm²/s；求在1200℃和1400℃燒結(jié)時(shí)，開始1h的線收縮率是多少？（假定擴(kuò)散粒子的半徑為0.059nm）

參考答案：

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1.問答題在制造透明Al₂O₃材料時(shí)，原始粉料粒度為2μm，燒結(jié)至最高溫度保溫0.5h，測得晶粒尺寸10μm，試問若保溫時(shí)間為2h，晶粒尺寸多大？為抑制晶粒生長加入0.1％MgO，此時(shí)若保溫時(shí)間為2h，晶粒又有尺寸多大？

參考答案：

2.問答題在1500℃Al₂O₃正常晶粒生長期間，觀察到晶體在1h內(nèi)從0.5μm直徑長大到10μm。如已知晶界擴(kuò)散活化能為335kJ/mol，試預(yù)測在1700℃下保溫時(shí)間為4h后，晶粒尺寸是多少？你估計(jì)加入0.5％MgO雜質(zhì)對(duì)Al₂O₃晶粒生長速度會(huì)有什么影響？在與上面相同條件下燒結(jié)，會(huì)有什么結(jié)果，為什么？

參考答案：

加入0.5％MgO時(shí)，會(huì)抑制Al₂O₃晶粒生長，抑制...

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3.問答題材料的許多性能如強(qiáng)度、光學(xué)性能等要求其晶粒尺寸微小且分布均勻，工藝上應(yīng)如何控制燒結(jié)過程以達(dá)到此目的？

參考答案：

（1）晶粒的大小取決于起始晶粒的大小，燒結(jié)溫度和燒結(jié)時(shí)間。
（2）防止二次再結(jié)晶引起的晶粒異常長大。

4.問答題晶界移動(dòng)通遇到夾雜物時(shí)會(huì)出現(xiàn)哪幾種情況？從實(shí)現(xiàn)致密化目的考慮，晶界應(yīng)如何移動(dòng)？怎樣控制？

參考答案：晶粒正常長大時(shí)，如果晶界受到第二相雜質(zhì)的阻礙，其移動(dòng)可能出現(xiàn)三種情況。
（1）晶界能量較小，晶界移動(dòng)被雜質(zhì)或氣...

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5.問答題在燒結(jié)時(shí)，晶粒生長能促進(jìn)坯體致密化嗎？晶粒生長會(huì)影響燒結(jié)速率嗎？試說明之。

參考答案：在燒結(jié)時(shí)，晶粒生長能促進(jìn)坯體的致密化。在燒結(jié)中、后期，細(xì)小晶粒逐漸長大，而晶粒的長大過程是另一部分晶粒的縮小或消失過程，...

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