已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補，正確結(jié)果為（）。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

在現(xiàn)代計算機系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中，用機器指令編寫的程序可以由（）進行解釋。

從給定的選項中選擇認(rèn)為正確的一項。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠程終端及計算機網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠離主機的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪問的寄存器。（4）CPU通過（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過（）把信息寫入有關(guān)端口。

在計算機存儲層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量？（）

已知定點小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。

從給定的選項中選擇認(rèn)為正確的一項。A.存儲矩陣B.全相聯(lián)映像C.組相聯(lián)映像D.虛擬存儲器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性（1）無論是動態(tài)存儲器還是靜態(tài)存儲器，都是由（）、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。（2）在Cache的三種映像方式中，（）實際上是對另外兩種映像方式的折中，是它們的普遍形式。（3）計算機存儲系統(tǒng)中，（）是解決運行大程序主存空間不足所使用的技術(shù)。（4）虛擬存儲器有三種地址空間，其中（）用于存放運行的程序和數(shù)據(jù)。（5）多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng)，是建立在程序運行的（）原理之上的。