真空中有一個(gè)半徑為a的均勻帶電球，其電荷體密度為ρ，帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為（）。

在圖10-67所示電路中，開關(guān)S在位置1的時(shí)間常數(shù)為τ1，在位置2的時(shí)間常數(shù)為τ2，τ1和τ2的關(guān)系是（）。

電真空中無限長(zhǎng)、半徑為a的帶電圓筒上電荷面密度為σ（σ是常數(shù)），則圓筒內(nèi)與軸線相距r處的電場(chǎng)強(qiáng)度為（）。

圖10-66所示電路在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后移動(dòng)R1上的滑動(dòng)觸點(diǎn)，該電路將產(chǎn)生過渡過程。這是因?yàn)椋ǎ?/p>

如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。

如下幾種說法，正確的有（）。

如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場(chǎng)強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。

圖10-63所示電路u（0-）=0V，uC2（0-）=10V，當(dāng)t圖10-63題10-110圖=0時(shí)閉合開關(guān)S后，uC2應(yīng)為（）V。以上各式中τ=2us。

以點(diǎn)電荷Q所在點(diǎn)為球心，距點(diǎn)電荷Q的距離R處的電場(chǎng)強(qiáng)度E：（）。

在平行板電容器中，有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導(dǎo)G=（）S。