A.晶體管的工作狀態(tài)可分為截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài) B.晶體管的工作區(qū)域可分為線性區(qū)和非線性區(qū) C.晶體管工作狀態(tài)可由開(kāi)關(guān)接通與斷開(kāi)的電路模型表示 D.晶體管存在開(kāi)關(guān)狀態(tài)和放大狀態(tài)兩種工作狀態(tài)
A.運(yùn)行效率與功率為單調(diào)增關(guān)系 B.若PM為效率最高時(shí)的負(fù)載功率,則[0,PM]區(qū)間內(nèi)的運(yùn)行效率與功率為單調(diào)增關(guān)系 C.運(yùn)行效率與功率為單調(diào)減關(guān)系 D.若PM為效率最高時(shí)的負(fù)載,則[0,PM]區(qū)間內(nèi)的運(yùn)行效率與功率為單調(diào)減關(guān)系
在圖示電路中,信號(hào)源與理想變壓器的原邊相連,負(fù)載與變壓器的副邊相連,若信號(hào)源的電壓US=12V,RS=72Ω,則負(fù)載RL=8Ω獲得最大功率時(shí)的端電壓有效值U2為()。
A.36V B.18V C.4V D.2V