A.電子線中心軸上最大劑量點(diǎn)的深度R100 B.電子線PDD劑量跌落最陡點(diǎn)的切線與Dm水平線交點(diǎn)的深度 C.電子線入射表面下0.5cm D.有效治療點(diǎn)深度R85 E.固定深度2cm
A.射野較大時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少,射野減小時(shí)PDD不再隨射野增加而變化 B.射野較小時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少,射野減小時(shí)PDD不再隨射野增加而變化 C.射野較小時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少,射野增大時(shí)PDD不再隨射野增加而變化 D.低能時(shí)射野對PDD的影響較大 E.對較高能量電子束,使用較小的射野時(shí)PDD隨射野的變化較小
A.PDD表面劑量減少、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染增加 B.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染增加 C.PDD表面劑量增加、坪區(qū)變窄、劑量梯度減少以及X射線污染增加 D.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度增大以及X射線污染增加 E.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染減少