A.1,100
B.0.5,50
C.1,50
D.2,100
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電路如圖所示,要使得晶體管工作在飽和區(qū),且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V,L=1μm,W=32μm,k′n=100μA/V2,忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),則電阻RS=()kΩ,RD=()kΩ。
A.5,3.25
B.4,6
C.3,7
D.3.25,5
A.最高,最高
B.最高,最低
C.最低,最高
D.最低,最低
A.1
B.2
C.3
D.4
A.〉,〈
B.〉,〉
C.〈,〈
D.〈,〉
A.金屬層
B.耗盡層
C.反型層
D.氧化層
最新試題
?數(shù)字頻率計采用4個數(shù)字的BCD碼計數(shù)器,若采樣時間0.01s,那么它能夠測量的最大頻率是多少?()
以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級??()
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