單項(xiàng)選擇題

關(guān)于空間電荷，下列哪一項(xiàng)不正確？（）

A.空間電荷區(qū)的電阻率很高
B.PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)是從P區(qū)指向N區(qū)的
C.由載流子濃度差引起的載流子運(yùn)動(dòng)，稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
D.漂移運(yùn)動(dòng)指的是電場(chǎng)作用所引起的載流子的運(yùn)動(dòng)

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單項(xiàng)選擇題

關(guān)于N型半導(dǎo)體，下列哪項(xiàng)不正確？（）

A.N型半導(dǎo)體，自由電子數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)的
B.N型半導(dǎo)體中，自由電子是多子
C.N型半導(dǎo)體中，空穴是多子
D.N型半導(dǎo)體中的空穴主要由熱激發(fā)形成

單項(xiàng)選擇題

關(guān)于空穴，下面哪一項(xiàng)不正確？（）

A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力是隨著溫度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一個(gè)帶正電的粒子，電量與電子相等
C.可以用空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流來(lái)代替受束縛的電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流
D.硅的價(jià)電子比鍺的價(jià)電子越容易擺脫束縛（相同情況）

關(guān)于空間電荷，下列哪一項(xiàng)不正確？（）

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關(guān)于N型半導(dǎo)體，下列哪項(xiàng)不正確？（）

關(guān)于空穴，下面哪一項(xiàng)不正確？（）

關(guān)于空間電荷，下列哪一項(xiàng)不正確？（）

關(guān)于N型半導(dǎo)體，下列哪項(xiàng)不正確？（）

關(guān)于空穴，下面哪一項(xiàng)不正確？（）