A.虛連接有效地解決了因網(wǎng)絡(luò)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)復(fù)雜,有些區(qū)域無法和骨干區(qū)域直接連接的問題
B.虛連接是指在兩臺(tái)ABR之間,穿過一個(gè)骨干區(qū)域,建立的一條邏輯上的連接通道
C.虛連接可以被理解為兩臺(tái)ABR之間存在一個(gè)點(diǎn)對點(diǎn)的連接
D.建立虛連接后,和物理接口一樣可以配置接口的各參數(shù),如發(fā)送Hello報(bào)文的時(shí)間間隔等
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A.Waiting
B.Backup
C.DR
D.DROther
A.在接口視圖下配置路由器的優(yōu)先級(jí)
B.優(yōu)先級(jí)的取值范圍是0~256
C.優(yōu)先級(jí)默認(rèn)值是1
D.如果優(yōu)先級(jí)相同,則比較接口的IP地址,IP地址大的更優(yōu)先
A.配置最大的優(yōu)先級(jí)
B.配置最大的Router ID
C.配置搶占方式
D.使DR和BDR離線
最新試題
()不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
M40單板上產(chǎn)生了MUT-LOS告警,關(guān)于處理此告警說法正確的是:()
某電路,對100KHz以下低頻信號(hào)干擾敏感,為減少干擾,應(yīng)采用()濾波器。
本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體。
晶體管能夠放大的外部條件是()。
通過U2000網(wǎng)管查詢OUT單板WDM性能可以看到()。
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。()
對于D觸發(fā)器來說,為了保證可靠的采樣,數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱為()。
8421碼10010111表示的十進(jìn)制數(shù)是()。
在Buck電路中,不能起到減小紋波作用的措施是()。