本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。

關(guān)于SRAM和DRAM，下面說(shuō)法正確的是（）。

某電路，對(duì)100KHz以下低頻信號(hào)干擾敏感，為減少干擾，應(yīng)采用（）濾波器。

通過(guò)U2000網(wǎng)管查詢OUT單板WDM性能可以看到（）。

下面哪塊單板不提供MON口用于在線光信號(hào)檢測(cè)：（）

DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）

1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是0000_0001，-1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是1111_1111。（）

模擬信號(hào)數(shù)字化的過(guò)程是（）。

一空氣平行板電容器，兩級(jí)間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開(kāi)，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>

晶體管能夠放大的外部條件是（）。