單項(xiàng)選擇題電阻上電壓與電流間的相位關(guān)系,電容上電壓與電流間的相位關(guān)系為()

A、電壓與電流均同相,無(wú)相位差
B、電壓與電流均反相,相位差為180º
C、電阻上的電壓與電流同相,電容上電流超前于電壓90º
D、電阻上的電壓與電流同相,電容上電流落后于電壓90º


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2.單項(xiàng)選擇題頻率穩(wěn)定性能最好,頻率范圍最寬的正弦波振蕩器為()

A.DDS振蕩器
B.石英晶體振蕩器
C.RC振蕩器
D.LC振蕩器

3.單項(xiàng)選擇題一示波器,X、Y軸同時(shí)加入同頻同相的正弦波信號(hào),且X、Y軸置于相同靈敏度時(shí),所顯示的圖形為()

A.為一垂直亮線(xiàn)
B.為一45°的斜線(xiàn)
C.為一橢圓
D.為一圓

4.單項(xiàng)選擇題電路中,為防止干擾的竄入,與門(mén)、或門(mén)的多余輸入端通常應(yīng)作如下處理()

A.均接高電平1
B.均接低電平0
C.前者接高電平1,后者接低電平0
D.前者接低電平0,后者接高電平1

5.單項(xiàng)選擇題供電電壓相同時(shí),CMOS電路與TTL電路輸出的高電平與低電平的情況為()

A.CMOS的輸出高電平比TTL的輸出高電平高,低電平比TTL輸出的低電平低
B.CMOS的輸出高電平比TTL的輸出高電平高,低電平比TTL輸出的低電平高
C.CMOS的輸出高電平比TTL的輸出高電平低,低電平比TTL輸出的低電平低
D.CMOS的輸出高電平比TTL的輸出高電平低,低電平比TTL輸出的低電平高