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判斷題電子設(shè)備內(nèi)部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及制造工藝有關(guān)。

1.判斷題電子設(shè)備外部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)本身的結(jié)構(gòu)以及外部環(huán)境因素有關(guān)。

2.判斷題容量為600～4000kV·A的裝置一般采用GO晶閘管，而容量為4000kV·A以上的裝置才采用普通晶閘管。

3.判斷題電力晶體管（GR）最大容量為1 200V400A，最佳工作頻率約為1～10kHz，適用于500V·A以上的應(yīng)用場(chǎng)合。

4.判斷題電力半導(dǎo)體器件額定電流的選擇依據(jù)是必須大于器件在電路中實(shí)際承受的平均電壓，并有2～3倍的裕量。

5.判斷題晶閘管的額定正向平均電流是指：在環(huán)境溫度為+40 ℃，標(biāo)準(zhǔn)散熱及元件導(dǎo)通條件下，陽極和陰極間可連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。