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單項(xiàng)選擇題

通過（）改變驅(qū)動力場，借以控制生長系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長工藝中經(jīng)常使用的方法。

A、溫度場
B、磁場
C、重力場
D、電場

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單項(xiàng)選擇題

硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.

A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型

單項(xiàng)選擇題

固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保護(hù)氣中，在（）攝氏度以上進(jìn)行常規(guī)熱處理。

A、300
B、400
C、500
D、600

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