單項(xiàng)選擇題

懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)多晶硅中基磷含量時(shí)，采用快速區(qū)熔法的工藝時(shí)，第一次區(qū)熔時(shí)，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時(shí)間（）左右。

A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ

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