A.激勵(lì)磁場(chǎng)
B.渦流磁場(chǎng)
C.磁疇磁場(chǎng)
D.以上三者都是
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A.發(fā)現(xiàn)試件中渦流變化
B.在試件中激勵(lì)出渦流
C.發(fā)現(xiàn)試件中的分子磁矩
D.激勵(lì)出試件磁疇
A.激勵(lì)渦流和放大信號(hào)
B.檢測(cè)并放大信號(hào)
C.激勵(lì)渦流和檢測(cè)信號(hào)
D.檢測(cè)并處理信號(hào)
A.匝數(shù)
B.激勵(lì)頻率
C.線圈電感
D.以上三項(xiàng)全是
A.ωL
B.2πωL
C.2πfL
D.A和C
A.線圈的電壓
B.線圈的電流
C.線圈的導(dǎo)納
D.空心線圈的電抗
最新試題
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()
X射線檢測(cè)圖像直觀、缺陷定性準(zhǔn)確,因此焊接缺陷無論大小和延伸方向都可以選擇X射線檢測(cè)。
補(bǔ)焊次數(shù)的界定由工藝、檢驗(yàn)負(fù)責(zé),對(duì)兩個(gè)補(bǔ)焊區(qū)交界部位補(bǔ)焊次數(shù)的界定,需要通過底片觀察提供幫助時(shí),X光室應(yīng)予以配合。
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。
底片或電子圖片、X射線照相檢驗(yàn)記錄、射線檢測(cè)報(bào)告副本、檢測(cè)報(bào)告等及臺(tái)帳由X光透視人員負(fù)責(zé)管理。
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯(cuò)誤的是()。
二次打底焊接或重熔排除,無需辦理相關(guān)手續(xù),直接使用前次的申請(qǐng)手續(xù)。
對(duì)焊接接頭穩(wěn)定時(shí)間有規(guī)定的產(chǎn)品,工藝規(guī)程應(yīng)作出規(guī)定,檢驗(yàn)監(jiān)控確認(rèn),檢驗(yàn)蓋章時(shí)穩(wěn)定時(shí)間不足者應(yīng)在申請(qǐng)單注明穩(wěn)定時(shí)間節(jié)點(diǎn),否則X光室視為穩(wěn)定時(shí)間符合要求。
檢測(cè)申請(qǐng)時(shí)工序狀態(tài)應(yīng)清楚、工序質(zhì)量應(yīng)符合工序質(zhì)量要求,檢驗(yàn)蓋章確認(rèn),確保焊接、檢驗(yàn)、檢測(cè)等全過程具有可追溯性。
觀察底片時(shí),為能識(shí)別缺陷圖像,缺陷圖像對(duì)比度與圖像噪聲之比應(yīng)不小于識(shí)別閾值。