填空題制抗壓試件法量測試件長邊尺寸時(shí),應(yīng)除去兩端殘留的()。
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最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題