A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
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A.燒結磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運輸?shù)忍攸c,具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強度分項系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實測荷載值精度高
D.計算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結構檢測的專業(yè)人士進一步開發(fā)改進。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
最新試題
下列是晶體的是()。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()