單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)每一個檢測單元內(nèi)，不宜少于（）測區(qū)，應(yīng)將單個構(gòu)件（單片墻、柱）作為一個測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
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1.單項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測在調(diào)查階段下列哪項工作是錯誤的（）。
A.在檢測完成后在收集工程建設(shè)時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
2.單項選擇題砌體抗壓強度的現(xiàn)場檢測技術(shù)不包括（）。
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
3.單項選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到（）。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
4.單項選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個測點，每個測點連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
5.單項選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題