單項(xiàng)選擇題目前,在現(xiàn)場對砌體強(qiáng)度進(jìn)行檢測時(shí),以下哪種方法不適合()。
A.回彈法
B.扁式法
C.鉆芯法
D.原位軸壓法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)是指將由塊體和砂漿砌筑而成的()作為建筑物主要受力構(gòu)件的結(jié)構(gòu)體系。
A.樁基
B.墻、柱
C.梁、板
D.墊層
2.單項(xiàng)選擇題砌體是把塊體(包括粘土磚、空心磚、砌塊、石材等)和()通過砌筑而成的結(jié)構(gòu)材料。
A.砂漿
B.混凝土
C.泥漿
D.水泥
![](https://static.ppkao.com/ppmg/img/appqrcode.png)
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題