雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

PN結(jié)的基本特性是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）