單項(xiàng)選擇題過共析鋼的正常淬火加熱溫度應(yīng)該選擇在()
A、Acl+30—50C
B、Ac3+30—50C
C、Accm+30—50C
D、T再+30—50C
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1.單項(xiàng)選擇題高碳鋼淬火后回火時,隨回火溫度升高其()
A、強(qiáng)度硬度下降,塑性韌性提高
B、強(qiáng)度硬度提高,塑性韌性下降
C、強(qiáng)度韌性提高,塑性韌性下降
D、強(qiáng)度韌性下降,塑性硬度提高
2.單項(xiàng)選擇題金屬的塑性變形主要是通過下列哪種方式進(jìn)行的()
A、晶粒的相對滑動
B、晶格的扭折
C、位錯的滑移
D、位錯類型的改變
3.單項(xiàng)選擇題鋼中加入除Co之外的其它合金元素一般均能使其C曲線右移,從而()
A、增大VK
B、增加淬透性
C、減小其淬透性
D、增大其淬硬性
4.單項(xiàng)選擇題為改善低碳鋼的切削加工性應(yīng)進(jìn)行哪種熱處理()?
A.等溫退火
B.完全退火
C.球化退火
D.正火
5.多項(xiàng)選擇題預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮的主要原因是()
A、溫度
B、拉力
C、錨具構(gòu)造
D、張拉錨固工藝
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最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題