下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。