填空題目前使用的()可多次寫入的存儲單元是在MOS管中置入()的方法實現(xiàn)的。
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最新試題
在分析阻容耦合式放大電路過程中,畫直流通路通路時,電容應作()處理。
題型:填空題
如圖所示,描述錯誤的一項是()。
題型:單項選擇題
?電路如圖所示,已知R為一個0.5k~100kΩ的可調電位器,要求Avd在1~100.5V/V范圍內變化,假設第2級增益為0.5V/V,則()。
題型:單項選擇題
關于電路模型,下列說法錯誤的一項是()。
題型:單項選擇題
下列關于電感儲能的描述中錯誤的是()。
題型:單項選擇題
?當級聯(lián)一個低通濾波器和一個高通濾波器得到一個帶通濾波器時,低通濾波器的截止頻率必須()。
題型:單項選擇題
放大電路中,判斷三極管工作組態(tài)的依據(jù)是()。
題型:單項選擇題
電路如圖所示,則()。
題型:單項選擇題
?直流穩(wěn)壓電路中,下列各部分功能說法正確的是()。
題型:多項選擇題
已知,某一正弦交流電路中的電壓為u(t)=156sin(377t+15°)V,則下列描述有誤的一項是()。
題型:單項選擇題