填空題

目前使用的（）可多次寫(xiě)入的存儲(chǔ)單元是在MOS管中置入（）的方法實(shí)現(xiàn)的。

答案： EPROM；浮置柵

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RAM主要包括（）、存儲(chǔ)矩陣和讀/寫(xiě)控制電路等部分。

答案：地址譯碼器

存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)有存儲(chǔ)容量、存取速度、功耗、可靠性和（）等。

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