A、L
B、S
C、J
D、M
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A、錨板
B、夾片
C、連接器
D、墊板
A、夾片錨具
B、鐓頭錨具
C、擠壓錨具
D、錐塞錨具
A、應(yīng)先進(jìn)行錨具的硬度試驗(yàn)
B、應(yīng)在錨板和夾片之間加入潤滑劑
C、預(yù)應(yīng)力筋應(yīng)等長平行,不少于2米
D、正式加載前需要進(jìn)行應(yīng)力調(diào)勻
A、夾片
B、鐓頭
C、錨板
D、鋼絞線
A、中強(qiáng)鋼絲
B、鋼絞線
C、熱處理鋼筋
D、高強(qiáng)鋼絲
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最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()