A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
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你可能感興趣的試題
A.上表面五個(gè)試件均無裂縫，下表面試件五個(gè)均無裂縫
B.上表面五個(gè)試件有兩個(gè)有裂縫，下表面五個(gè)試件均無裂縫
C.上表面五個(gè)試件有一個(gè)有裂縫，下表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫
D.上表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫，下表面五個(gè)試件有兩個(gè)試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
A.實(shí)驗(yàn)的矩形試件尺寸為（150±1）mm×（25±1mm）
B.試件裁取時(shí)應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時(shí)標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取，長邊在卷材的縱向
A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
A.SBSG，Ⅰ，3.0mm
B.APPPY，Ⅰ，4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PET，Ⅱ，1.5mm
D.濕鋪防水卷材P，Ⅰ，1.5mm
最新試題
可用作硅片的研磨材料是（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
PN結(jié)的基本特性是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。