A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內陰涼場所
C、結構或構件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
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A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內
B、溫度20±2℃的不流動的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實器具拔出時要緩慢,拔出后不得留有孔洞
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內不得少于12次
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
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最新試題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
可用作硅片的研磨材料是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()