A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水
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A、壓力試驗機(jī)
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
A、壓力試驗機(jī)
B、砼振動臺
C、微變形測量儀
D、砼坍落度儀
A、壓力試驗機(jī)
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測量儀
D、鋼板尺
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
硅片拋光在原理上不可分為()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法