A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈，在分析天平上稱出容量筒質(zhì)量，精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實(shí)時，若用大于5L的容量筒，每層裝料高度不應(yīng)大于100mm
C、采用振動臺振實(shí)時，應(yīng)分二層均勻裝料，第一層料振實(shí)后，再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物，表面如有凹陷應(yīng)補(bǔ)平
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你可能感興趣的試題
A、容量筒
B、稱重50kg的臺秤
C、振動臺或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、稱重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、加壓至10s時的泌水量與加壓至140s時的泌水量之比
A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動臺
D、量筒
A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結(jié)時間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
A、泵送性能
B、凝結(jié)性能
C、和易性能
D、保水性能
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
PN結(jié)的基本特性是（）
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）