A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
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A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權比例法
D、非統(tǒng)計法
A、強度等級相同
B、強度試驗齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時間應至少檢驗1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應至少檢驗1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應至少檢驗1次
D、砼坍落度的取樣檢驗頻率與砼強度檢驗相同
A、不同批次或非連續(xù)供應的不足一個檢驗批量的砼原材料應作為一個檢驗批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗合格的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
C、散裝水泥應按每500噸為一個檢驗批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
A、砼強度達到設計強度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護措施
B、砼受凍前的強度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護
D、模板和保溫層應在砼冷卻到5℃方可拆除
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
PN結(jié)的基本特性是()