影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

下列是晶體的是（）。 

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）