單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中規(guī)定進行蒸壓加氣混凝土干密度和含水率試驗時需將試件烘至恒質（M0），恒質是指在烘干過程中間隔（），前后兩次質量差不超過試件質量的0.5%。
A、1h
B、2h
C、3h
D、4h
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1.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準規(guī)定進行蒸壓加氣混凝土干密度和含水率試驗時應逐塊量取長、寬、高三個方向的軸線尺寸，精確至（）mm。
A、1
B、2
C、3
D、4
2.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準規(guī)定進行干密度、含水率和吸水率等試驗時試件共二組（）塊。
A、3
B、6
C、10
D、20
3.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準中進行干密度、含水率和吸水率等試驗時試件尺寸為（）的正立方體。
A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
4.單項選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗方法（GB/T11969-2008）標準適用于（）
A、燒結普通磚
B、燒結多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
5.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準中抗?jié)B性試驗中以三個試件上玻璃筒內水面下降的（）高度來評定。
A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
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在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
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對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
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改良西門子法的顯著特點不包括（）
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下列哪個不是單晶常用的晶向（）
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
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如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題