A、晶粒大小對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
B、參加衍射晶粒數(shù)目對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
C、衍射線位置對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
D、試樣形狀對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
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A、晶粒大小對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
B、參加衍射晶粒數(shù)目對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
C、衍射線位置對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
D、試樣形狀對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
A、晶粒大小對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
B、參加衍射晶粒數(shù)目對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
C、衍射線位置對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
D、試樣形狀對(duì)衍射強(qiáng)度的影響
A、2
B、3
C、4
D、6
A、不存在系統(tǒng)消光
B、h+k為奇數(shù)
C、h+k+l為奇數(shù)
D、h、k、l為異性數(shù)
A.6;
B.4;
C.2
D.1;。
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最新試題
每種晶體物質(zhì)都有自己特定的晶體結(jié)構(gòu),晶體結(jié)構(gòu)不同則X射線衍射花樣也就各不相同。
根據(jù)衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)原理,理想晶體衍射強(qiáng)度隨()而變化。
利用電子探針對(duì)材料微區(qū)成分進(jìn)行面分析,包含幾種元素就顯示幾種元素的分布圖像。
紅外光分為()。
X射線衍射儀中,通常用于測(cè)定2θ范圍不大的一段衍射圖,常用于精確測(cè)定衍射峰的積分強(qiáng)度和位置的掃描方式為()。
在電子探針面分析中,根據(jù)圖像上亮點(diǎn)的疏密和分布,可確定該元素在試樣中分布情況,亮區(qū)代表元素含量()。
電子束與固體樣品作用時(shí),會(huì)產(chǎn)生背散射電子。背反射電子的產(chǎn)額隨樣品()的增加而增多。
電子探針和X射線衍射儀一樣,都可以直接確定材料中所包含的物相。
掃描電鏡的背散射電子像中,圖像上亮區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)()暗區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)。
拉曼光譜分析時(shí),1500cm-1以上的譜帶必定是一個(gè)基團(tuán)的頻率,解釋通常是可靠的,一般可以確信其推論。