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填空題幾乎所有的III-v族化合物半導(dǎo)體都是（）能帶結(jié)構(gòu)，具有（），光吸收系數(shù)很大，對薄膜太陽能電池是有用的。

1.填空題化合物半導(dǎo)體太陽能電池材料的重要特性參數(shù)有（）；（）、數(shù)載流子移動度i以及擴(kuò)散長度L，特別是在太陽能電池中，復(fù)合效果也是重要的參數(shù)。

2.填空題GaAs以及InP的禁帶寬度分別為（）；（），與高效率最適合的1.4ev~1.5ev相近。

3.填空題太陽能單一結(jié)電池片可以分為（）；（）、雙異質(zhì)性結(jié)構(gòu)、傾斜禁帶寬度型、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、短鍵位壘型、量子阱結(jié)構(gòu)超晶格結(jié)構(gòu)、Si以及Ge基片上的薄膜電池片上。

4.填空題在同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中，為了得到20%以上的高效率，必須讓結(jié)合深度在（）以下的淺層處，因此在異質(zhì)表面結(jié)構(gòu)中，通入插入寬禁帶寬度的窗層，增加結(jié)合深度高定的自由度，就可以實(shí)現(xiàn)高效率。

5.填空題通過采用MQW結(jié)構(gòu)，電流值可用（）和（）控制，電壓可用本體上的禁帶寬度控制，因此即使是單電池片，其轉(zhuǎn)換效率也有望達(dá)到40%。