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填空題在同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中，為了得到20%以上的高效率，必須讓結(jié)合深度在（）以下的淺層處，因此在異質(zhì)表面結(jié)構(gòu)中，通入插入寬禁帶寬度的窗層，增加結(jié)合深度高定的自由度，就可以實現(xiàn)高效率。

1.填空題通過采用MQW結(jié)構(gòu)，電流值可用（）和（）控制，電壓可用本體上的禁帶寬度控制，因此即使是單電池片，其轉(zhuǎn)換效率也有望達到40%。

2.填空題在InP中也電子線照射缺陷一致的方向，注入（）以促進（）的所謂DLTS的方法得到的結(jié)果。

3.填空題由于大多數(shù)化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)都是（），因此不像間接躍遷的Si那樣容易產(chǎn)生太陽能電池特性的放射線（）現(xiàn)象。

4.填空題InP電池片的轉(zhuǎn)換效率是（）。

5.填空題被氧化了的色素從氧化還原介質(zhì)中得到（），又重新回到準能級的色素成為氧化態(tài)，向?qū)﹄姌O進行擴散，從（）電極接受電子回到還原狀態(tài)，這就是電子的一個循環(huán)。