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填空題
晶體硅片蝕刻清洗的生產(chǎn)工藝有酸性蝕刻和堿性蝕刻兩種,其中酸性蝕刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸當(dāng)緩沖劑,一般去除約10-20µm厚的表面層。
答案:
氫氟酸
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目前多晶硅原料的制備方法主要有三氯氫硅法(改良西門子法)和()兩種方法。
答案:
硅烷法
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填空題
對(duì)于晶體硅太陽(yáng)能電池,環(huán)境對(duì)開路電壓和短路電流有一定影響,其中受溫度影響較大的是(),受太陽(yáng)輻照度影響較大的是()
答案:
UOC;ISC
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