在裝置以外與裝置的距離等于外推距離的各點(diǎn)所形成的假想表面。
在單群中子輸運(yùn)理論中,漸近中子通量密度在邊界上的切線延伸到介質(zhì)外達(dá)到零的一點(diǎn)到介質(zhì)邊界的距離。