單晶體金屬特點(diǎn)有（）。

滲透檢測(cè)時(shí)，滲入的滲透液有一些被截留在缺陷內(nèi)，將受檢部位置于合適的光源（發(fā)光強(qiáng)度足夠）下檢查時(shí)，下列說(shuō)法正確的有（）。

非熒光磁粉檢測(cè)時(shí)，可見(jiàn)光照度不小于1000lx，并應(yīng)避免（）。

大厚度比試件透照特殊技術(shù)中的補(bǔ)償技術(shù)是指利用（）填補(bǔ)工件的較薄部分，使透照厚度差減小的方法。

超聲波檢測(cè)發(fā)現(xiàn)缺陷，在不同的方向上檢測(cè)，缺陷回波呈現(xiàn)此起比伏互相彼連的狀態(tài)，判定為（）。

磁場(chǎng)信號(hào)測(cè)量中可采用（）方法。

用雙晶探頭檢測(cè)時(shí)，為增加缺陷顯現(xiàn)次數(shù)和反射幅度，檢測(cè)細(xì)長(zhǎng)缺陷應(yīng)使探頭（）。

探頭主聲束（）將會(huì)影響對(duì)缺陷的定位和判別。

滲透劑檢測(cè)壓力噴灌的存放應(yīng)避免（）。

超聲波探傷儀要盡量避免在（）場(chǎng)合使用。