多項選擇題在對層間絕緣膜進行CMP時，層間絕緣膜的表面會隨下列那些因素產(chǎn)生變化（）。
A.電路圖形結構的凹凸
B.尺寸大小
C.位置分布
D.高度
E.密集程度
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1.多項選擇題直流二極管輝光放電系統(tǒng)是由（）構成。
A.抽真空的玻璃管
B.抽真空后再充入某種低壓氣體的玻璃管
C.兩個電極
D.加速器
E.增益管
2.單項選擇題在直流二極管輝光放電系統(tǒng)的玻璃管中，自由電子在碰撞氬原子之前可運動的平均距離又叫（）。
A.平均運動范圍
B.平均速度
C.平均碰撞距離
D.平均自由程
3.多項選擇題從電極的結構看，濺射的方法包括（）。
A.直流濺射
B.交流濺射
C.二級濺射
D.三級濺射
E.四級濺射
4.多項選擇題濺射的方法非常多其中包括（）。
A.直流濺射
B.交流濺射
C.反應濺射
D.二級濺射
E.三級濺射
5.多項選擇題一般來說，濺射鍍膜的過程包括（）這幾步。
A.產(chǎn)生一個離子并導向靶
B.被轟擊的原子向硅晶片運動
C.離子把靶上的原子轟出來
D.經(jīng)過加速電場加速
E.原子在硅晶片表面凝結
最新試題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項選擇題
當需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術有（）
題型：多項選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項選擇題
假設光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
分結深是重要的結構參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項選擇題
試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點？
題型：問答題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。
題型：單項選擇題