單項(xiàng)選擇題（）是因?yàn)槲皆釉诰砻嫔媳舜伺鲎膊⒔Y(jié)合所形成的。

A.晶核
B.晶粒
C.核心
D.核團(tuán)


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1.單項(xiàng)選擇題（）主要是以化學(xué)反應(yīng)方式來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的。

A.PVD
B.CVD
C.濺射
D.蒸發(fā)

2.單項(xiàng)選擇題化學(xué)氣相沉積的英文名稱的縮寫(xiě)為（）。

A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD

3.多項(xiàng)選擇題（）專(zhuān)指薄膜形成的過(guò)程中，并不消耗晶片或底材的材質(zhì)。

A.薄膜成長(zhǎng)
B.蒸發(fā)
C.薄膜沉積
D.濺射
E.以上都正確

4.單項(xiàng)選擇題下面哪一種薄膜工藝中底材會(huì)被消耗（）。

A.薄膜沉積
B.薄膜成長(zhǎng)
C.蒸發(fā)
D.濺射

5.多項(xiàng)選擇題下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來(lái)刻蝕后者（）。

A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金屬
C.單晶硅多晶硅
D.鋁銅
E.鋁硅