單項(xiàng)選擇題當(dāng)注入劑量增加到某個(gè)值時(shí)，損傷量不再增加，趨于飽和。開(kāi)始飽和的注入劑量稱(chēng)為（）。

A.臨界劑量
B.飽和劑量
C.無(wú)損傷劑量
D.零點(diǎn)劑量


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1.多項(xiàng)選擇題對(duì)于非晶靶，離子注入的射程分布取決于（）。

A.入射離子的能量
B.入射離子的質(zhì)量
C.入射離子的原子序數(shù)
D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度
E.注入離子的總劑量

2.單項(xiàng)選擇題離子散射方向與入射方向的夾角，稱(chēng)為（）。

A.漸近角
B.偏折角
C.散射角
D.入射角

3.單項(xiàng)選擇題射程在垂直入射方向的平面內(nèi)的投影長(zhǎng)度稱(chēng)之為（）。

A.投影射程
B.射程縱向分量
C.射程橫向分量
D.有效射程

4.單項(xiàng)選擇題離子從進(jìn)入靶起到停止點(diǎn)所通過(guò)的總路程稱(chēng)作（）。

A.離子距離
B.靶厚
C.射程
D.注入深度

5.多項(xiàng)選擇題電荷積分儀的基本單元包括（）。

A.I-V轉(zhuǎn)換
B.V-f轉(zhuǎn)換
C.十進(jìn)制計(jì)數(shù)電路
D.控制電路
E.紅外探測(cè)器