單項選擇題通常熱擴散分為兩個大步驟,其中第一個步驟是()。

A.再分布
B.等表面濃度擴散
C.預淀積
D.等總摻雜劑量擴散


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2.單項選擇題He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的擴散率大于10-13cm2/s,這些元素稱為()。

A.活躍雜質
B.快速擴散雜質
C.有害雜質
D.擴散雜質

3.單項選擇題如果磷在二氧化硅中擴散,對擴散率影響最大的因素是:()。

A.擴散劑總量
B.壓強
C.溫度
D.濃度

4.單項選擇題用電容-電壓技術來測量擴散剖面分布是用了()的原理。

A.pn結理論
B.歐姆定律
C.庫侖定律
D.四探針技術

5.單項選擇題在確定擴散率的實驗中,擴散層電阻的測量可以用()測量。

A.SIMS技術
B.擴展電阻技術
C.微分電導率技術
D.四探針技術