單項選擇題菲克一維擴散定律公式中的J是代表單位面積溶質(zhì)（）。
A.傳輸率
B.載流子濃度
C.擴散梯度
D.擴散系數(shù)
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1.單項選擇題在空位擴散中，如果遷移的空位的原子是雜質(zhì)原子，擴散稱為（）。
A.填隙擴散
B.雜質(zhì)擴散
C.推擠擴散
D.自擴散
2.單項選擇題在空位擴散中，如果遷移到空位的原子是基質(zhì)原子，擴散屬于（）。
A.推擠擴散
B.雜質(zhì)擴散
C.填隙擴散
D.自擴散
3.單項選擇題固體中的擴散模型主要有填隙機制和（）。
A.自擴散機制
B.雜質(zhì)擴散機制
C.空位機制
D.菲克擴散方程機制
4.單項選擇題對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴散
5.單項選擇題擴散工藝現(xiàn)在廣泛應用于制作（）。
A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結(jié)
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最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
下列哪些是進行光刻前的預處理的步驟？（）
題型：多項選擇題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項選擇題
假設光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：單項選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）
題型：單項選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項選擇題
堅膜烘焙在加熱平板上進行，溫度控制在（）。
題型：單項選擇題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題