A.生長出的二氧化硅中引入很多可動離子 B.氧化的速度慢 C.生長的二氧化硅缺陷多 D.生長的二氧化硅薄膜鈍化效果差
A.稍高于 B.大大于 C.等于 D.沒有要求
A.干氧氧化 B.濕氧氧化 C.水汽氧化 D.與氧化方法無關