單項(xiàng)選擇題OSI模型中的最高層和最低層分別是()。

A、表示層和物理層
B、應(yīng)用層和物理層
C、應(yīng)用層和網(wǎng)絡(luò)層
D、應(yīng)用層和傳輸層


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2.單項(xiàng)選擇題安裝CPU(SOCKET),下列正確的方法是()。

A、平放主板-將鎖緊桿向上抬起到垂直位置-將CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-用力將CPU壓入插座-將鎖緊拉入并卡住
B、平放主板-將鎖緊桿向上抬起到垂直拉置-CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-放下CPU使其自動(dòng)落到底-將鎖緊桿拉入并卡住
C、平放主板-將鎖緊桿取下-將CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-放下CPU使其自動(dòng)落到底-將鎖緊桿卡住
D、將平放主板-鎖緊桿向上抬起到與主板成45度角位置-將CPU針腳排列呈現(xiàn)為斜角的一角對準(zhǔn)插座上也呈現(xiàn)為斜角的方位-放區(qū)一體化下CPU使其自動(dòng)落到底-將鎖緊桿拉下并卡住

3.單項(xiàng)選擇題開機(jī)后提示“CMOS Battery Stale Low“,這表明()。

A、CMOS設(shè)置錯(cuò)誤
B、主板上CMOS電池電量不足
C、主板CMOS芯片損壞
D、主板供電不足

4.單項(xiàng)選擇題如果硬盤出現(xiàn)物理壞道,一般使用()方法來修復(fù)。

A、用諾頓磁盤醫(yī)生NDD進(jìn)行修復(fù)
B、利用DM對磁盤重新進(jìn)行高級格式化
C、用Lformat對磁盤進(jìn)行低級格式化
D、以上方法都可以

5.單項(xiàng)選擇題要無條件格式化C盤,正確的DOS命令是()。

A、FormatC:/Q
B、FormatC:\Q
C、FormatC:/U
D、FormatC:\U

最新試題

()是一種連接兩個(gè)傳輸協(xié)議完全不同的網(wǎng)絡(luò)的一種設(shè)施。

題型:填空題

使用路由器互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的最大特點(diǎn)是:各互聯(lián)子網(wǎng)仍然保持各自獨(dú)立,每個(gè)子網(wǎng)可以采用不同的()、()和網(wǎng)絡(luò)協(xié)議。

題型:填空題

有的時(shí)候我們需要把CHS地址轉(zhuǎn)換成LBA地址,在換算中需要用到磁頭個(gè)數(shù),我們使用winhex軟件在哪里可以找到磁頭個(gè)數(shù)?()

題型:單項(xiàng)選擇題

入侵檢測系統(tǒng)的性能指標(biāo)包括:有效性指標(biāo)、()、系統(tǒng)指標(biāo)。

題型:填空題

入侵行為的一般過程為:確定攻擊目標(biāo)、()、()。

題型:填空題

按應(yīng)用規(guī)模劃分,以太網(wǎng)交換機(jī)分為企業(yè)級交換機(jī)、部門級交換機(jī)和()。

題型:填空題

臺(tái)式機(jī)主板供電電路出現(xiàn)的組成方式有()

題型:單項(xiàng)選擇題

以下()不是硬盤的分區(qū)類型。

題型:單項(xiàng)選擇題

()可以認(rèn)為是多端口的網(wǎng)橋,主要用于連接幾個(gè)獨(dú)立的過濾數(shù)據(jù)包。

題型:填空題

清分系統(tǒng)中數(shù)據(jù)庫服務(wù)器所使用的操作系統(tǒng)是()。

題型:填空題