連續(xù)噴霧顯影,旋覆浸沒顯影顯影溫度,顯影時(shí)間,顯影液量,硅片洗盤,當(dāng)量濃度,清洗,排風(fēng)。
光刻膠選擇比是指顯影液與曝光的光刻膠反應(yīng)的速度快慢,選擇比越高,反應(yīng)速度越快,所以要比例高。
光刻膠顯影是指用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區(qū)域,其主要目的是把掩膜版圖形準(zhǔn)確復(fù)制到光刻膠中。