單項(xiàng)選擇題根據(jù)《金太陽(yáng)示范工程基本要求（2009年）》，金太陽(yáng)和太陽(yáng)能光電建筑應(yīng)用示范項(xiàng)目中，晶體硅組件最高限價(jià)（）元/峰瓦。
A.4
B.8
C.14
D.6
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1.單項(xiàng)選擇題金太陽(yáng)和太陽(yáng)能光電建筑應(yīng)用示范項(xiàng)目中，電網(wǎng)企業(yè)在收到項(xiàng)目并網(wǎng)意向函和全部項(xiàng)目信息后，應(yīng)在（）個(gè)工作日內(nèi)予以答復(fù)。
A.13
B.15
C.20
D.10
2.單項(xiàng)選擇題根據(jù)《國(guó)家能源局關(guān)于加強(qiáng)金太陽(yáng)示范項(xiàng)目并網(wǎng)管理的通知》（國(guó)能新能（2011）37號(hào)），金太陽(yáng)示范項(xiàng)目中的用戶(hù)側(cè)光伏發(fā)電項(xiàng)目，按（）的方式由項(xiàng)目單位自建自用，或由項(xiàng)目單位與用戶(hù)單位以合同能源服務(wù)方式建設(shè)和管理。
A.自發(fā)自用
B.并網(wǎng)統(tǒng)籌
C.隨意并網(wǎng)
D.不予并網(wǎng)
3.單項(xiàng)選擇題CIGS薄膜組件全光照面積的光電轉(zhuǎn)換效率（含組件邊框面積）應(yīng)（）。
A.≥10%
B.≥13%
C.≥15.5%
D.≥17%
4.單項(xiàng)選擇題非晶硅薄膜組件全光照面積的光電轉(zhuǎn)換效率（含組件邊框面積）應(yīng)（）。
A.≥7%
B.≥13.5%
C.≥15.5%
D.≥17%
5.單項(xiàng)選擇題《金太陽(yáng)示范工程關(guān)鍵設(shè)備基本要求（2012年）》中規(guī)定，晶體硅組件全光照面積的光電轉(zhuǎn)換效率（含組件邊框面積）應(yīng)（）。
A.≥12.5%
B.≥13.5%
C.≥14.5%
D.≥15.5%
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