A.0.40DB/km
B.0.30DB/km
C.0.25DB/km
D.0.20DB/km
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A.光―光
B.電―光-電
C.光-電-光
D.電-電
A.消除高階模
B.消除包層模
C.消除次低階模
D.加速達(dá)到穩(wěn)態(tài)模分布
A.NAeff=0.975NAτ
B.NAeff=0.987NAτ
C.NAτ=0.975NAeff
D.NAτ=0.987NAeff
A.纖芯的橢圓度和殘余內(nèi)應(yīng)力
B.傳輸模數(shù)量
C.入射光功率
D.光纖衰減
A.單模光纖特有的參數(shù)
B.多模光纖特有的參數(shù)
C.單模、多模光纖共有的參數(shù)
D.與模式數(shù)多少無(wú)關(guān)的參數(shù)
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最新試題
在OTDR使用中,掩模的概念是指在反射峰期間,屏蔽接收器的光信號(hào)。
不同質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器與質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體的激光器比較,其優(yōu)點(diǎn)主要是閾值電流較低。
以下哪些屬于3M路由探測(cè)儀的工作方式()
光纜于人手孔內(nèi)之管道為多孔配置時(shí),應(yīng)選擇幅度最大管布放,裸露部份需加裝PE卷繞管保護(hù),其應(yīng)深入管道內(nèi),如人孔及手孔。
光纖的制造過(guò)程可主要分為提純,熔煉,拉絲等。
光纖套塑的目的是保護(hù)光纖的預(yù)涂覆層,增加光纖的熔接質(zhì)量。
光纜應(yīng)確保埋深達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求,在鼠害嚴(yán)重部位可加鋼管或硬塑料管保護(hù)。
光纖熔接后變細(xì),可能是因?yàn)椋ǎ?/p>
測(cè)量模場(chǎng)直徑的方法有遠(yuǎn)場(chǎng)掃描法,可變孔徑法、刀口掃描法、近場(chǎng)掃描法等。
鬼點(diǎn)(影)又稱幻峰,出現(xiàn)鬼點(diǎn)(影)的主要原因是由于儀表的量程放的太小或者儀器與光纖、光纖與光纖間的接頭反射太大造成的。