單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散硅敏感膜片的彈性形變量在微應(yīng)變數(shù)量級(jí)，膜片最大位移量在（）。

A、微米數(shù)量級(jí)
B、毫米數(shù)量級(jí)
C、厘米數(shù)量級(jí)
D、納米數(shù)量級(jí)


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于擴(kuò)散硅式壓力變送器下列描述錯(cuò)誤的是（）。

A、擴(kuò)散硅芯片由單晶硅經(jīng)過(guò)采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)摻雜、擴(kuò)散制成
B、其硅片上沿單晶硅的特點(diǎn)晶向，制成應(yīng)變電阻，構(gòu)成惠斯凳電橋
C、集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測(cè)于一體
D、根據(jù)壓阻效應(yīng)，將壓力轉(zhuǎn)換成破壞惠斯凳電橋橋路平衡的電流，再根據(jù)電流變化與壓力大小的非線(xiàn)性關(guān)系，推算壓力大小。

2.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散硅式壓力變送器的工作主要是基于（）。

A、硅晶體的壓阻效應(yīng)
B、硅晶體的擴(kuò)散效應(yīng)
C、硅晶體的應(yīng)變效應(yīng)
D、硅晶體的半導(dǎo)體特性

3.單項(xiàng)選擇題電容式壓力變送器和電容式差壓變送器的工作原理（）。

A、相同
B、不同
C、相近
D、相反