A.與
B.或
C.非
D.異或
E.同或
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A.字擴展
B.位擴展
C.體擴展
D.線擴展
A.掩模型
B.快閃型
C.可編程型
D.可檫可寫型
E.緩沖型
A.SOM
B.RAM
C.ROM
D.SAM
A.4舍5入
B.0舍1入
C.恒置1
D.恒置0
A.1個符號位
B.2個符號位
C.3個符號位
D.4個符號位
最新試題
已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補,正確結(jié)果為()。
刷新控制電路的主要任務是解決刷新和()之間的矛盾。
柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
從給定的選項中選擇你認為正確的一項。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計算D.數(shù)據(jù)計算E.控制器設計簡單F.控制器設計復雜(1)一個指令周期中,()是每一條指令都必須執(zhí)行的,所完成的功能對所有指令都相同。(2)一個指令周期中,()對多數(shù)指令所完成的功能是類似的。(3)一條指令在執(zhí)行過程中,一定要完成()并保存,以保證程序自動連續(xù)執(zhí)行。(4)指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點是()。(5)指令流水線方式是提高計算機硬件性能的重要技術(shù)和有效措施,但它的()。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
在計算機存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量?()
軟件堆棧在工作中()移動。
()是指參與運算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
()又稱字選法,所對應的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。